casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NP06DB1R0M
Número de pieza del fabricante | NP06DB1R0M |
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Número de parte futuro | FT-NP06DB1R0M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N, P Type |
NP06DB1R0M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.9A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 21 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 87MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.126" (3.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP06DB1R0M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP06DB1R0M-FT |
N08DPA471K
Taiyo Yuden
N08DPA4R7M
Taiyo Yuden
N08DPA560K
Taiyo Yuden
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N08DPA680K
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N08DPA820K
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N08DPA821K
Taiyo Yuden
N08DPB100K
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel