casa / productos / Condensadores / Condensadores de óxido de niobio / NOSA226M002R0900
Número de pieza del fabricante | NOSA226M002R0900 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NOSA226M002R0900 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OxiCap® NOS |
NOSA226M002R0900 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 22µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 2.5V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | 900 mOhms |
Corriente - Fugas | 1.1µA |
Factor de disipación | 6% |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1206 (3216 Metric) |
Código de Tamaño del Fabricante | A |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
Caracteristicas | Low ESR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1206 (3216 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSA226M002R0900 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NOSA226M002R0900-FT |
NOSD227M006R0060
AVX Corporation
NOSD337M002R0100
AVX Corporation
NOSD477M002R0055
AVX Corporation
NOSD477M002R0100
AVX Corporation
NOSD477M004R0100
AVX Corporation
NOSE227M006R0080
AVX Corporation
NOSE227M006R0100
AVX Corporation
NOSE337M004R0100
AVX Corporation
NOSE337M006R0100
AVX Corporation
NOSE477M002R0100
AVX Corporation
LCMXO2-640HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-L1FBG676I
Xilinx Inc.
XC4010E-2BG225C
Xilinx Inc.
XA3S500E-4PQG208Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8N
Intel
EP3C16U484C8N
Intel
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation