casa / productos / Condensadores / Condensadores de óxido de niobio / NOSA106M008R2200V
Número de pieza del fabricante | NOSA106M008R2200V |
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Número de parte futuro | FT-NOSA106M008R2200V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OxiCap® NOS |
NOSA106M008R2200V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 10µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 8V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | 2.2 Ohms |
Corriente - Fugas | 1.6µA |
Factor de disipación | 10% |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1206 (3216 Metric) |
Código de Tamaño del Fabricante | A |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
Caracteristicas | Low ESR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1206 (3216 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSA106M008R2200V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NOSA106M008R2200V-FT |
NOJD477M002RWJ
AVX Corporation
NOJD477M002SWJ
AVX Corporation
NOJD477M004RWJ
AVX Corporation
NOJX107M004RWJ
AVX Corporation
NOJX157M002RWJ
AVX Corporation
NOJX227M001RWJ
AVX Corporation
NOJX686M006RWJ
AVX Corporation
NOJY107M006RWJ
AVX Corporation
NOJY157M004RWJ
AVX Corporation
NOJY157M006RWJ
AVX Corporation
XC6SLX150T-3FG900C
Xilinx Inc.
EPF6016ATC100-3
Intel
EP4CE40F23C8N
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5SGXMA5N2F40C1N
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5SGXMB6R3F40C2N
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EP4CGX30BF14C7N
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5SGXMA3K2F35C3N
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LFE2-50SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E1SG
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