casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NM27C512QE120
Número de pieza del fabricante | NM27C512QE120 |
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Número de parte futuro | FT-NM27C512QE120 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C512QE120 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C512QE120 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NM27C512QE120-FT |
N25W064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740E
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840E
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840F TR
Micron Technology Inc.
N28H00CB03JDK11E
Micron Technology Inc.
N28H00EB03EDK34E
Micron Technology Inc.
N2M400FDB311A3CF TR
Micron Technology Inc.
N2M400GDB321A3CE
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel