casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NM27C512Q150
Número de pieza del fabricante | NM27C512Q150 |
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Número de parte futuro | FT-NM27C512Q150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C512Q150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C512Q150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NM27C512Q150-FT |
N25QH32A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740E
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840E
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840F TR
Micron Technology Inc.
N28H00CB03JDK11E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel