casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NM27C010V150
Número de pieza del fabricante | NM27C010V150 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NM27C010V150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C010V150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-LCC (J-Lead) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-PLCC (14x11.46) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C010V150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NM27C010V150-FT |
N25Q128A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EW7DFE
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EW7DFF
Micron Technology Inc.
N25Q128A13TF840E
Micron Technology Inc.
N25Q128A21BF840E
Micron Technology Inc.
N25Q128A23B1240E
Micron Technology Inc.
N25Q128A23B1241E
Micron Technology Inc.
N25Q128A23BF840E
Micron Technology Inc.
N25Q128A31EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A31EF840E
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel