casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NM27C010Q90
Número de pieza del fabricante | NM27C010Q90 |
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Número de parte futuro | FT-NM27C010Q90 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C010Q90 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 90ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C010Q90 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NM27C010Q90-FT |
N25Q128A13EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EW7DFE
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EW7DFF
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel