casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / NJVMJD45H11G
Número de pieza del fabricante | NJVMJD45H11G |
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Número de parte futuro | FT-NJVMJD45H11G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJVMJD45H11G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 8A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potencia - max | 1.75W |
Frecuencia - Transición | 90MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD45H11G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NJVMJD45H11G-FT |
BC848BWT1G
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Microsemi Corporation
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10M04SFE144C8G
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5AGXMA3D4F27C5N
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A42MX16-PL84A
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ICE40LP1K-CM81TR1K
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10AX048E2F29E1HG
Intel