casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NESG2107M33-T3-A
Número de pieza del fabricante | NESG2107M33-T3-A |
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Número de parte futuro | FT-NESG2107M33-T3-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NESG2107M33-T3-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 5V |
Frecuencia - Transición | 10GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
Ganancia | 7dB ~ 10dB |
Potencia - max | 130mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 5mA, 1V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-SuperMiniMold (M33) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NESG2107M33-T3-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NESG2107M33-T3-A-FT |
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
MS2206A
Microsemi Corporation
MS2207
Microsemi Corporation
MS2210A
Microsemi Corporation
MS2211
Microsemi Corporation
MS2212
Microsemi Corporation
MS2213
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XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
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Lattice Semiconductor Corporation