casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85639-T1-R27-A
Número de pieza del fabricante | NE85639-T1-R27-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85639-T1-R27-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85639-T1-R27-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 9GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 13dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639-T1-R27-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85639-T1-R27-A-FT |
MS2091H
Microsemi Corporation
MS2092H
Microsemi Corporation
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176C
Xilinx Inc.
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA7H2F35I3
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XC6VLX240T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10AQC208-3N
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EP1SGX25DF1020C5
Intel