casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-T1B-R25-A
Número de pieza del fabricante | NE85633-T1B-R25-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85633-T1B-R25-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85633-T1B-R25-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 11.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-T1B-R25-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85633-T1B-R25-A-FT |
NE68518-T1-A
CEL
NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
HFA3134IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3134IH96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IH96
Renesas Electronics America Inc.
MMBTH11
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC4010E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M08DCF484C7G
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
XC4006E-3PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-25F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation