casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-T1B-A
Número de pieza del fabricante | NE85633-T1B-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85633-T1B-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85633-T1B-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 11.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-T1B-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85633-T1B-A-FT |
NE68118-A
CEL
NE68118-T1-A
CEL
NE68518-A
CEL
NE68518-T1-A
CEL
NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
HFA3134IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
XCV50-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FGG320C
Xilinx Inc.
EP2C20AF484I8N
Intel
5SGXEB9R3H43C4N
Intel
XC7VX485T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6N
Intel