casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-R24-A
Número de pieza del fabricante | NE85633-R24-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85633-R24-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85633-R24-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 11.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-R24-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85633-R24-A-FT |
NE67818-T1-A
CEL
NE68018-A
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CEL
START405TR
STMicroelectronics
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel