casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE851M13-T3-A
Número de pieza del fabricante | NE851M13-T3-A |
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Número de parte futuro | FT-NE851M13-T3-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE851M13-T3-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 5.5V |
Frecuencia - Transición | 4.5GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Ganancia | 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ |
Potencia - max | 140mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | M13 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE851M13-T3-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE851M13-T3-A-FT |
BFR 360T E6327
Infineon Technologies
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
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MMBTH24-7
Diodes Incorporated
BFU550R
NXP USA Inc.
BFP183E7764HTSA1
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BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520R
NXP USA Inc.
BFU520XAR
NXP USA Inc.
A1020B-VQ80I
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XC2VP40-6FGG676I
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APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
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5SGXEA9K3H40I3LN
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5SGXEA7H1F35C2N
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5SGXMA5K2F35I2N
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5CEBA5U19C8N
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