casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE68133-T1B-R35-A
Número de pieza del fabricante | NE68133-T1B-R35-A |
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Número de parte futuro | FT-NE68133-T1B-R35-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE68133-T1B-R35-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 10V |
Frecuencia - Transición | 9GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Ganancia | 13dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 8V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 65mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE68133-T1B-R35-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE68133-T1B-R35-A-FT |
NE52418-T1-A
CEL
NE67718-A
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NE67718-T1-A
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NE67818-A
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NE67818-T1-A
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NE68018-A
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NE68118-A
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NE68118-T1-A
CEL
NE68518-A
CEL
A54SX16A-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8
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10M40DAF484I6G
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5AGXBA1D4F27I5
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