casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE58219-T1-A
Número de pieza del fabricante | NE58219-T1-A |
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Número de parte futuro | FT-NE58219-T1-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE58219-T1-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 5GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | - |
Potencia - max | 100mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 60mA |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-75, SOT-416 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-SuperMiniMold (19) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE58219-T1-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE58219-T1-A-FT |
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
Diodes Incorporated
MMBTH24-7
Diodes Incorporated
BFU550R
NXP USA Inc.
BFP183E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520R
NXP USA Inc.
BFU520XAR
NXP USA Inc.
BFU530R
NXP USA Inc.
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
LFXP10C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
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EP1C20F324I7N
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