casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / NE5550779A-A
Número de pieza del fabricante | NE5550779A-A |
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Número de parte futuro | FT-NE5550779A-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE5550779A-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 900MHz |
Ganancia | 22dB |
Voltaje - prueba | 7.5V |
Valoración actual | 2.1A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 140mA |
Salida de potencia | 38.5dBm |
Tensión nominal | 30V |
Paquete / Caja | 4-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | 79A |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE5550779A-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE5550779A-A-FT |
MRF5S9100NR1
NXP USA Inc.
MRF5S9101MR1
NXP USA Inc.
MRF5S9101NR1
NXP USA Inc.
MRF6S18060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S18100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S9125NR1
NXP USA Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YU484E5G
Intel
XC7K410T-1FBG900I
Xilinx Inc.
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324A7G
Intel