casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE461M02-T1-QR-AZ
Número de pieza del fabricante | NE461M02-T1-QR-AZ |
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Número de parte futuro | FT-NE461M02-T1-QR-AZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE461M02-T1-QR-AZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 15V |
Frecuencia - Transición | - |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Ganancia | 8.3dB |
Potencia - max | 2W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 250mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE461M02-T1-QR-AZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE461M02-T1-QR-AZ-FT |
MS1006
Microsemi Corporation
MS1007
Microsemi Corporation
MS1008
Microsemi Corporation
MS1014
Microsemi Corporation
MS1015D
Microsemi Corporation
MS1019
Microsemi Corporation
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
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5CGXBC4C6F27C7N
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10CX220YF780E5G
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5SGXEA9N3F45I3L
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5SGXEB9R2H43I3N
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LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation