casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / NE3516S02-T1C-A
Número de pieza del fabricante | NE3516S02-T1C-A |
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Número de parte futuro | FT-NE3516S02-T1C-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE3516S02-T1C-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | N-Channel GaAs HJ-FET |
Frecuencia | 12GHz |
Ganancia | 14dB |
Voltaje - prueba | 2V |
Valoración actual | 60mA |
Figura de ruido | 0.35dB |
Corriente - Prueba | 10mA |
Salida de potencia | 165mW |
Tensión nominal | 4V |
Paquete / Caja | 4-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | S02 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE3516S02-T1C-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE3516S02-T1C-A-FT |
SD2932B
STMicroelectronics
SD2942
STMicroelectronics
SD2903
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SD2943W
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SD4933MR
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SD3933
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SD4933
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SD2933
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A3P015-QNG68I
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Microsemi Corporation
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100M
Microsemi Corporation
ICE40LP384-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016BI256-3
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