casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / NE3516S02-A
Número de pieza del fabricante | NE3516S02-A |
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Número de parte futuro | FT-NE3516S02-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE3516S02-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | N-Channel GaAs HJ-FET |
Frecuencia | 12GHz |
Ganancia | 14dB |
Voltaje - prueba | 2V |
Valoración actual | 60mA |
Figura de ruido | 0.35dB |
Corriente - Prueba | 10mA |
Salida de potencia | 165mW |
Tensión nominal | 4V |
Paquete / Caja | 4-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | S02 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE3516S02-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE3516S02-A-FT |
SD2932
STMicroelectronics
SD2932B
STMicroelectronics
SD2942
STMicroelectronics
SD2903
STMicroelectronics
SD2933W
STMicroelectronics
SD2943W
STMicroelectronics
SD4933MR
STMicroelectronics
SD3933
STMicroelectronics
SD4933
STMicroelectronics
SD2933
STMicroelectronics
EX256-PTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
XA7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG256
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1DQC
Microchip Technology
EP4S100G2F40I2
Intel
XC2VP7-5FF896I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG100I
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29I3N
Intel