casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / NDS8852H
Número de pieza del fabricante | NDS8852H |
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Número de parte futuro | FT-NDS8852H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDS8852H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.3A, 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300pF @ 15V |
Potencia - max | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS8852H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NDS8852H-FT |
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