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ON Semiconductor NDD60N900U1-35G

Name: NDD60N900U1-35G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD60N900U1-35G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (189 reviews)

Número de pieza de MFG: NDD60N900U1-35G

Cantidad disponible: 75310 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NDD60N900U1-35G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NDD60N900U1-35G
Número de parte futuro	FT-NDD60N900U1-35G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NDD60N900U1-35G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	360pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I-PAK
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD60N900U1-35G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NDD60N900U1-35G-FT

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