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ON Semiconductor NDBA180N10BT4H

Número de pieza de MFG
NDBA180N10BT4H
Cantidad disponible
53880 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-NDBA180N10BT4H
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NDBA180N10BT4H Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 180A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6950pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDBA180N10BT4H Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NDBA180N10BT4H-FT

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