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NDB6060L Image

ON Semiconductor NDB6060L

Número de pieza de MFG
NDB6060L
Cantidad disponible
26690 Piezas
Precio de referencia
USD 0.98844
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-NDB6060L
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NDB6060L Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 48A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2000pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDB6060L Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NDB6060L-FT

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