casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND512W3A2SZAXE
Número de pieza del fabricante | NAND512W3A2SZAXE |
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Número de parte futuro | FT-NAND512W3A2SZAXE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512W3A2SZAXE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512W3A2SZAXE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512W3A2SZAXE-FT |
N25Q064A13EW74ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7DFE
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7DFF
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW94ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW9D0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A11EF740E
Micron Technology Inc.
N25Q128A11EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A11EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A11ESECFE
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel