casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND512W3A2BN6E
Número de pieza del fabricante | NAND512W3A2BN6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND512W3A2BN6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512W3A2BN6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512W3A2BN6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512W3A2BN6E-FT |
M48Z512AV-85PM1
STMicroelectronics
M48Z512AY-70PM1
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M48Z512BV-85PM1
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M48Z08-100PC1
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M48Z58-70PC1
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M48Z18-100PC1
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M48Z58Y-70PC1
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M48Z35-70PC1
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M48Z35Y-70PC1
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M48Z35AV-10PC1
STMicroelectronics
A3P400-1FGG256
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M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel