casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND512R3A2BZA6E
Número de pieza del fabricante | NAND512R3A2BZA6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND512R3A2BZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512R3A2BZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 60ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (8.5x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2BZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512R3A2BZA6E-FT |
M93C66-WMN6
STMicroelectronics
M93C66-WMN6T
STMicroelectronics
M93C76-MN6P
STMicroelectronics
M93C76-MN6TP
STMicroelectronics
M93C76-WMN6P
STMicroelectronics
M93C76-WMN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6
STMicroelectronics
M93C86-MN6P
STMicroelectronics
M93C86-MN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6TP
STMicroelectronics
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
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5SGXEA9N3F45I4N
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LFEC33E-5F672C
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LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
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