casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND256R3A2BZA6E
Número de pieza del fabricante | NAND256R3A2BZA6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND256R3A2BZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND256R3A2BZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 55-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 55-VFBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND256R3A2BZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND256R3A2BZA6E-FT |
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40R01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE4MF TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel