casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND16GW3B6DPA6E
Número de pieza del fabricante | NAND16GW3B6DPA6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND16GW3B6DPA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND16GW3B6DPA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 16Gb (2G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 114-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 114-LFBGA (12x16) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND16GW3B6DPA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND16GW3B6DPA6E-FT |
N25Q032A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25Q064A11E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel