casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND01GW3B2CZA6E
Número de pieza del fabricante | NAND01GW3B2CZA6E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NAND01GW3B2CZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND01GW3B2CZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9.5x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GW3B2CZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND01GW3B2CZA6E-FT |
N25Q032A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25Q064A11E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel