casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND01GW3B2CZA6E
Número de pieza del fabricante | NAND01GW3B2CZA6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND01GW3B2CZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND01GW3B2CZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9.5x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GW3B2CZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND01GW3B2CZA6E-FT |
N25Q032A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25Q064A11E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel