casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND01GR3B2BZA6E
Número de pieza del fabricante | NAND01GR3B2BZA6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND01GR3B2BZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND01GR3B2BZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 30ns |
Tiempo de acceso | 30ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GR3B2BZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND01GR3B2BZA6E-FT |
M93C66-MN6P
STMicroelectronics
M93C66-MN6T
STMicroelectronics
M93C66-MN6TP
STMicroelectronics
M93C66-WMN6
STMicroelectronics
M93C66-WMN6T
STMicroelectronics
M93C76-MN6P
STMicroelectronics
M93C76-MN6TP
STMicroelectronics
M93C76-WMN6P
STMicroelectronics
M93C76-WMN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6
STMicroelectronics
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel