casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / N25Q128A13ESFH0E TR
Número de pieza del fabricante | N25Q128A13ESFH0E TR |
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Número de parte futuro | FT-N25Q128A13ESFH0E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q128A13ESFH0E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (32M x 4) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q128A13ESFH0E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N25Q128A13ESFH0E TR-FT |
MT53B256M32D1PX-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel