casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / N25Q016A11ESCA0F TR
Número de pieza del fabricante | N25Q016A11ESCA0F TR |
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Número de parte futuro | FT-N25Q016A11ESCA0F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
N25Q016A11ESCA0F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 1ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q016A11ESCA0F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N25Q016A11ESCA0F TR-FT |
M25P40-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6PB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6PBA
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6T TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6YPB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMW6GB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMW6TGB TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel