casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / N25Q00AA13G1240E
Número de pieza del fabricante | N25Q00AA13G1240E |
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Número de parte futuro | FT-N25Q00AA13G1240E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q00AA13G1240E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-LPBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q00AA13G1240E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N25Q00AA13G1240E-FT |
MT28F800B3SG-9 B
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 BET
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 BET TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 T
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 T TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 TET
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 TET TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B5SG-8 B
Micron Technology Inc.
MT28F800B5SG-8 B TR
Micron Technology Inc.