casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / N08L63W2AB27I
Número de pieza del fabricante | N08L63W2AB27I |
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Número de parte futuro | FT-N08L63W2AB27I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N08L63W2AB27I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-BGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N08L63W2AB27I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N08L63W2AB27I-FT |
LE25S81MCTWG
ON Semiconductor
LE25U40CMCQ00-AH
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CAT24C208WI-GT3
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CAT24AA02WI-G
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A42MX36-BGG272
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A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
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XC7K480T-L2FFG901I
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XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
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EP1C12F324C7N
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