casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / N05DB4R7M
Número de pieza del fabricante | N05DB4R7M |
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Número de parte futuro | FT-N05DB4R7M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N |
N05DB4R7M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 49 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 35MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.240" L x 0.232" W (6.10mm x 5.90mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.110" (2.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N05DB4R7M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N05DB4R7M-FT |
MS75101-12SH
Vishay Dale
MS75101-12ST
Vishay Dale
MS75101-1BH
Vishay Dale
MS75101-1RU
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MS75101-1SH
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MS75101-1ST
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MS75101-4BH
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MS75101-4RU
Vishay Dale
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
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LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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