casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / MXP6KE110AE3
Número de pieza del fabricante | MXP6KE110AE3 |
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Número de parte futuro | FT-MXP6KE110AE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MXP6KE110AE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 94V |
Voltaje - Avería (Min) | 105V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 152V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 3.4A |
Potencia - Pulso pico | 600W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | T-18, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-18 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXP6KE110AE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MXP6KE110AE3-FT |
MXLSMLG5.0A
Microsemi Corporation
MXLSMLG5.0AE3
Microsemi Corporation
MXLSMLG5.0CA
Microsemi Corporation
MXLSMLG5.0CAE3
Microsemi Corporation
MXLSMLG51A
Microsemi Corporation
MXLSMLG51AE3
Microsemi Corporation
MXLSMLG51CA
Microsemi Corporation
MXLSMLG51CAE3
Microsemi Corporation
MXLSMLG54A
Microsemi Corporation
MXLSMLG54AE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel