casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MX25L6473EMBI-10G
Número de pieza del fabricante | MX25L6473EMBI-10G |
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Número de parte futuro | FT-MX25L6473EMBI-10G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MXSMIO™ |
MX25L6473EMBI-10G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50µs, 3ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L6473EMBI-10G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MX25L6473EMBI-10G-FT |
M25P32-VMW6G
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW6GBA
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW6TGBA TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN3PB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN3TP/X TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN6PB
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel