casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MX25L25673GM2I-10G
Número de pieza del fabricante | MX25L25673GM2I-10G |
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Número de parte futuro | FT-MX25L25673GM2I-10G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MXSMIO™ |
MX25L25673GM2I-10G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | 120MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 30µs, 750µs |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L25673GM2I-10G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MX25L25673GM2I-10G-FT |
M25P20-VMN6
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6PB
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6PBA
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6T TR
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25P20S-VMN6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW3GB
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW3GB TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel