casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MWI50-12E6K
Número de pieza del fabricante | MWI50-12E6K |
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Número de parte futuro | FT-MWI50-12E6K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MWI50-12E6K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 51A |
Potencia - max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 35A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 300µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | E1 |
Paquete del dispositivo del proveedor | E1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI50-12E6K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MWI50-12E6K-FT |
MIAA10WB600TMH
IXYS
MIAA10WD600TMH
IXYS
MIAA10WE600TMH
IXYS
MIAA10WF600TMH
IXYS
MIAA15WB600TMH
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MIAA15WD600TMH
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MIAA20WB600TMH
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MIAA20WD600TMH
IXYS
MIAA20WE600TMH
IXYS
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
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5SGXMA3E2H29C3N
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Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
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5CEFA7F31C7N
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10AX066K2F40I2LG
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