casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - JFETs / MV2N5114
Número de pieza del fabricante | MV2N5114 |
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Número de parte futuro | FT-MV2N5114 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MV2N5114 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 30V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 90mA @ 18V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 10V @ 1nA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 25pF @ 15V |
Resistencia - RDS (On) | 75 Ohms |
Potencia - max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-18 (TO-206AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N5114 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MV2N5114-FT |
2N4859JAN02
Vishay Siliconix
2N4859JTX02
Vishay Siliconix
2N4859JTXL02
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2N4859JTXV02
Vishay Siliconix
2N4860JAN02
Vishay Siliconix
2N4860JTX02
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2N4860JTXL02
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2N4860JTXV02
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2N4861JAN02
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2N4861JTX02
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LCMXO1200C-3TN100I
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Xilinx Inc.
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