casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - JFETs / MV2N4856
Número de pieza del fabricante | MV2N4856 |
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Número de parte futuro | FT-MV2N4856 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/385 |
MV2N4856 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 40V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 175mA @ 15V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 10V @ 500pA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 18pF @ 10V |
Resistencia - RDS (On) | 25 Ohms |
Potencia - max | 360mW |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-18 (TO-206AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N4856 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MV2N4856-FT |
2N4857JAN02
Vishay Siliconix
2N4857JTX02
Vishay Siliconix
2N4857JTXL02
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2N4858JTVP02
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2N4858JTX02
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Vishay Siliconix
2N4858JVP02
Vishay Siliconix
LFE2-12E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL1000V5-FG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C7
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
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EP2AGX65DF25I5
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EP4S100G5F45I3N
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XC5VLX30-2FFG324I
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XC6VSX315T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
10AX057K2F40E2SG
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10AX115R4F40I4SGES
Intel