casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / MV1N8170US
Número de pieza del fabricante | MV1N8170US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MV1N8170US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV1N8170US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | - |
Voltaje - Avería (Min) | - |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | - |
Aplicaciones | - |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8170US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MV1N8170US-FT |
MSMLG22A
Microsemi Corporation
MSMLG22AE3
Microsemi Corporation
MSMLG22CA
Microsemi Corporation
MSMLG22CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG24CA
Microsemi Corporation
MSMLG24CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG26A
Microsemi Corporation
MSMLG26AE3
Microsemi Corporation
MSMLG26CA
Microsemi Corporation
MSMLG26CAE3
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation