casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MURT20010R
Número de pieza del fabricante | MURT20010R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MURT20010R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT20010R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 100A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Three Tower |
Paquete del dispositivo del proveedor | Three Tower |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT20010R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MURT20010R-FT |
MBRT400100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035
GeneSiC Semiconductor
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel