casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MURS260HE3/5BT
Número de pieza del fabricante | MURS260HE3/5BT |
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Número de parte futuro | FT-MURS260HE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS260HE3/5BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.45V @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS260HE3/5BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MURS260HE3/5BT-FT |
10BQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
10BQ100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
20BQ030TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJ-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJHM3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel