casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MURF20010
Número de pieza del fabricante | MURF20010 |
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Número de parte futuro | FT-MURF20010 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURF20010 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 100A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | TO-244AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-244 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF20010 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MURF20010-FT |
MDA600-20N1
IXYS
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
MDA950-12N1W
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IXYS
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IXYS
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IXYS
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel