Número de pieza del fabricante | MUR2510 |
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Número de parte futuro | FT-MUR2510 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR2510 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 25A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR2510 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MUR2510-FT |
IDDD06G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD08G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD10G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD12G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD20G65C6XTMA1
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IDW40E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW15E65D2FKSA1
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IDW40G65C5XKSA1
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IDW75E60FKSA1
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
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XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
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10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
Intel