casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - Fotodiodos / MTD5010W
Número de pieza del fabricante | MTD5010W |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MTD5010W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD5010W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Longitud de onda | 850nm |
Color - Mejorado | Infrared (NIR)/Red |
Rango espectral | 400nm ~ 1100nm |
Tipo de diodo | - |
Responsividad @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tiempo de respuesta | 3.5ns |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Actual - Oscuro (Tipo) | 5nA |
Área activa | - |
Ángulo de visión | 110° |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MTD5010W-FT |
UVG5S
Opto Diode Corp
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FFG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
LFXP10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F31C6N
Intel
EP1S25F780C6N
Intel