casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - Fotodiodos / MTD5010N
Número de pieza del fabricante | MTD5010N |
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Número de parte futuro | FT-MTD5010N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD5010N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Longitud de onda | 850nm |
Color - Mejorado | Infrared (NIR)/Red |
Rango espectral | 400nm ~ 1100nm |
Tipo de diodo | - |
Responsividad @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tiempo de respuesta | 3.5ns |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Actual - Oscuro (Tipo) | 5nA |
Área activa | - |
Ángulo de visión | 24° |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MTD5010N-FT |
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
SXUV20HS1
Opto Diode Corp
LCMXO2-4000HC-5TG144C
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XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG48I
Microsemi Corporation
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX330-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XA7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
XCKU3P-2SFVB784I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation