casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - Fotodiodos / MTD3010N
Número de pieza del fabricante | MTD3010N |
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Número de parte futuro | FT-MTD3010N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD3010N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Longitud de onda | 900nm |
Color - Mejorado | Infrared (NIR)/Red |
Rango espectral | 400nm ~ 1100nm |
Tipo de diodo | - |
Responsividad @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tiempo de respuesta | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Actual - Oscuro (Tipo) | 10nA |
Área activa | - |
Ángulo de visión | 16° |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD3010N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MTD3010N-FT |
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
SXUV20HS1
Opto Diode Corp
SXUV100
Opto Diode Corp
ODD-5WB
Opto Diode Corp
ODD-5WISOL
Opto Diode Corp
ODD-5WBISOL
Opto Diode Corp
ODD-5W
Opto Diode Corp
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
APA1000-BG456
Microsemi Corporation
10CL055YU484C6G
Intel
EP3C55F484I7N
Intel
EP2AGX95DF25I3
Intel
XC7S25-L1CSGA225I
Xilinx Inc.
A42MX09-FPL84
Microsemi Corporation
EP1S10F780I6N
Intel
5SGXEA3H1F35C1N
Intel